| 描述 | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.1A，2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 110 毫欧 @ 3.1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 20?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 22.5nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | PG-DSO-8 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | BSO615CXTINTR |
