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  • BSP123L6327

BSP123L6327

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSP123
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单路
  • 系列:SIPMOS?

参考价格

  • 数量单价
  • 1000+$0.1839
  • 2000+$0.1677
  • 5000+$0.1569
  • 10000+$0.1461
  • 25000+$0.1380
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 欧姆 @ 370mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C370mA
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 50?A闸电荷(Qg) @ Vgs2.4nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss)70pF @ 25V功率 - 最大1.79W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-261-4, TO-261AA
供应商设备封装PG-SOT223-4包装带卷 (TR)
其它名称BSP123 BSP123 L6327 BSP123 L6327-ND BSP123INTR BSP123L6327-ND BSP123L6327TR BSP123L6327TR-ND BSP123L6327XT SP000089202

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