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  • BSP135 L6433

BSP135 L6433

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSP135
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:SIPMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 4000$0.3556
  • 8000$0.33782
  • 12000$0.32385
  • 28000$0.31496
  • 100000$0.3048
产品属性
描述MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点耗尽模式漏极至源极电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120mA开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 欧姆 @ 120mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 94?A闸电荷(Qg) @ Vgs4.9nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds146pF @ 25V功率 - 最大1.8W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装PG-SOT223-4包装带卷 (TR)
其它名称BSP135 L6433-NDSP000432430

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