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BSP149E6327

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：200 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性

描述	MOSFET N-CH 200 V 2.6 A	漏极连续电流	0.66 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	3.5 Ohms	配置	Single Dual Drain
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-223	封装	Reel
下降时间	21 ns	正向跨导 gFS（最大值/最小值）	0.8 S / 0.4 S
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1.8 W
上升时间	3.4 ns	工厂包装数量	1000
典型关闭延迟时间	45 ns

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