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  • BSP220,115

BSP220,115

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C225mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 欧姆 @ 200mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs-输入电容 (Ciss) @ Vds90pF @ 25V
功率 - 最大1.5W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商设备封装SC-73
包装带卷 (TR)

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