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  • BSP250,115

BSP250,115

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 30V 3A SOT223FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C250 毫欧 @ 1A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds250pF @ 20V
功率 - 最大1.65W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商设备封装SC-73
包装带卷 (TR)

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