| 描述 | MOSFET N-CH 200 V 2.6 A | 漏极连续电流 | 1.1 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.62 Ohms | 配置 | Single Dual Drain |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-223 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 21.4 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 1.2 S / 0.6 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 1.79 W |
| 上升时间 | 7.9 ns | 工厂包装数量 | 1000 |
| 典型关闭延迟时间 | 37.4 ns |
