| 描述 | IC AMP N-CHAN 40V 8MA SOT-23 | 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) | 8mA @ 15V |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | - | 漏极电流 (Id) - 最大 | - |
| FET 型 | N 沟道 | 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 40V |
| 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id | 800mV @ 0.5nA | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 电阻 - RDS（开） | 60 欧姆 | 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） | 功率 - 最大 | 250mW |
| 其它名称 | BSR58-NDBSR58TR |
被赶出沟道，此方式可有效减小jfet上的电流与功率损耗。这种自保护功能使得jfet在遇到极大的电压时也能正常为led偏置提供恒流驱动。 到目前为止我们认为最坏的情况是持续供应18v电压，然而双倍电池供电电压的情况也是存在的。车辆发电机/交流发电机甩负载时会产生大规模感应瞬变现象，这种现象会持续数百毫秒，而且有时供电电压会在一分钟内上升至26 v，有时会达到40v或更高。因此我们需要一个车辆负载保护方案。 图7所示为40v以下bsr58的计算功率与它的理想恒流源功率，显示出jfet电路的节电能力。30v压降下190ω电阻功率为4.7w，i_led为156ma。此类电流带来功率耗损过度并会缩短led使用寿命。 使用jfet来为led偏置提供电流已经获得广泛认同，如果有一个简单的方法能够调整idss值的大小那就更好了。图8a中电路就是通过并联3个30ma jfet产生90ma led偏置电流的。图8b中，将jfet与一个2.7 kω电阻并联，使之通过微调idss电流，在最大20v电压下也能提供一 ...
