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  • BSS119 L6433

BSS119 L6433

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSS119
  • 标准包装:10,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:SIPMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 10000$0.1147
  • 30000$0.1052
  • 50000$0.10085
  • 100000$0.09888
  • 250000$0.0969
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C170mA开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 欧姆 @ 170mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.3V @ 50?A闸电荷(Qg) @ Vgs2.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds78pF @ 25V功率 - 最大360mW
安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装PG-SOT23-3包装带卷 (TR)
其它名称BSS119 L6433-NDSP000247291

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