| 描述 | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 220mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 27pF @ 25V | 功率 - 最大 | 360mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSS138TR |
现两种功能。 另一方面，电流参考电阻（图7电路图中的r3）减小到5.6 kω时，可补偿晶体管q1的vcesat。 图8、图9中的波形说明了采用rb=1.3 mω/cbe=2.2mf产生软启动时，输出至4个led的电流均为25 ma。当然，通过调整rb/cbe网络可以增加或减小斜升延迟。但1.5 mω以上的rb值将造成系统对环境噪声敏感。如前所述，cbe电容不可采用低成本电解电容，必须采用陶瓷型电容，以实现所期望的长时序。 可以采用小信号nmos器件替代外部晶体管q1，如bss138。由于门极输入不吸收电流，可以产生更大时延。虽然还可以采用更小的器件运行这种应用，但必须避免所选nmos的大rdson造成的非受控工作电流。实际上，对于rdson额定值为5000ω的器件，上述参数变化较大（在整个温度范围内大概为1:2），且输出电流同时变化，使得led亮度不均匀。因此，必须选择rdson较小的器件，以确保led在正常工作中可准确控制。 另外，由于nmos的vt大于双极型器件vbe的两倍，采用nmos器件一般不会在开始时序上增加工作延迟：vbe为0.6 v时，范围在1.5 v ...
其实也不见得未完全关闭看他的图7002的s极大概是240mv的正电平，g＝低时甚至可能vgs<0，如果这样还不能彻底关断，那只能是一个解释：2n7002本身性能不够。类似的场合，我用的是bss138。贵一些，但性能好不少。其实性能最好的还应该是模拟开关。至于工频干扰说，有些牵强。怎么那么巧每次都是凸的，而不是凹的呢？除非他的50hz触发信号就是用工频信号过零比较来的，刚好同步。 ...
请教dmos管的作用学习射频电路时发现开关管dmos应用的很多，例如fairchild公司的bss138，我想了解这种元件的工作原理和应用范围，请有心人帮个忙吧。谢谢。 并求开关管dmos的相关资料。 ...
