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  • BSS139H6327XT

BSS139H6327XT

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:250 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:30 mA

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥3.80
  • 10¥3.04
  • 100¥2.28
  • 500¥1.90
  • 1000¥1.52
产品属性
描述MOSFET SIPMOS Small Signal Transistor电阻汲极/源极 RDS(导通)14 Ohms at 10 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体PG-SOT-23
封装Reel下降时间182 ns
栅极电荷 Qg2.3 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散360 mW上升时间5.4 ns
典型关闭延迟时间43 ns零件号别名BSS139 BSS139H6327XTSA1 H6327

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