| 描述 | MOSFET SIPMOS Small Signal Transistor | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 6 Ohms at 10 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | PG-SOT-23 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 27 ns |
| 栅极电荷 Qg | 2.1 nC | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 360 mW | 上升时间 | 2.7 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns | 零件号别名 | BSS169 BSS169H6327XTSA1 H6327 |
