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  • BSS205N H6327

BSS205N H6327

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSS205N
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.0927
  • 6000$0.08755
  • 15000$0.07983
  • 30000$0.07468
  • 75000$0.06695
产品属性
描述MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 11?A闸电荷(Qg) @ Vgs3.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds419pF @ 10V功率 - 最大500mW
安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装PG-SOT23-3包装带卷 (TR)
其它名称BSS205N H6327-NDBSS205NH6327XTSA1SP000929180

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