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  • BSS308PEH6327XT

BSS308PEH6327XT

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:- 30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:- 2 A

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥2.76
  • 10¥1.95
  • 100¥1.56
  • 500¥1.17
  • 1000¥0.78
产品属性
描述MOSFET OptiMOS P3 Small Signal Transistor电阻汲极/源极 RDS(导通)80 mOhms at - 10 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体PG-SOT-23
封装Reel下降时间2.8 ns
栅极电荷 Qg- 5 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散500 mW上升时间7.7 ns
典型关闭延迟时间15.3 ns零件号别名BSS308PE BSS308PEH6327XTSA1 H6327

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