您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > bss806nh6327xt
  • BSS806NH6327XT

BSS806NH6327XT

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 8 V
  • 漏极连续电流:2.3 A

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥2.76
  • 10¥2.15
  • 100¥1.53
  • 500¥1.08
  • 1000¥0.766
产品属性
描述MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor电阻汲极/源极 RDS(导通)57 mOhms at 2.5 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体PG-SOT-23
封装Reel下降时间3.7 ns
栅极电荷 Qg1.7 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散500 mW上升时间9.9 ns
典型关闭延迟时间12 ns零件号别名BSS806N BSS806NH6327XTSA1 H6327

bss806nh6327xt的相关型号: