| 描述 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 130mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 73pF @ 25V | 功率 - 最大 | 360mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSS84TR |
utput.的关系可通过公式1表示： (1) rshunt选择:rshunt的最大值由最大电流时的容许功耗决定，而最小值由运算放大器的输入范围和误差预算决定。一般情况下，为了监控10a以上的电流，rshunt的值在1mω至10mω之间。如果单个电阻无法满足功耗要求，或者对pcb而言太大，则rshunt可能必须由多个电阻并联构成。 rg选择:rg用于将与高端电流成比例的电流转换到低端。rg的最大值由p沟道mosfet的漏极-源极漏电流决定。假设使用常见的p沟道增强型垂直dmos晶体管bss84，那么各种条件下的idss最大值如表1所示。 table表1.漏极-源极漏电流 以ldmos漏极电流监控为例，共模电压为28v，idss为100na。通过rl的最小电流的镜像至少应为idss的20倍。因此 rg的最小值由最大负载电流时的容许镜像电流功耗决定： rbias选择:通过rbias的电流经过分流产生运算放大器的静态电流和基本恒定的齐纳二极管电压vz,（它决定运算放大器的电源电压）。当放大器电流isupply,实际上为0且,vin为最大值时，应确保流过齐纳二 ...
请问有没有比bss84便宜的pmos管作个设计，用到mos管。以前的方案用的时2n7002（n沟道），后来发现用pmos管性能更好，但现在找到的最便宜的pmos是bss84（2毛）比2n7002（8分）贵的多。请问大家有没有比bss84便宜的pmos管。我们的性能要求不高 做小信号开关用的耐压>= 10v 导通电流>1ma vgs(th) <= 2.5v. 其他参数都影响不大。谢谢！ ...
找pmos管要比bss84便宜的作个设计，用到mos管。以前的方案用的时2n7002（n沟道），后来发现用pmos管性能更好，但现在找到的最便宜的pmos是bss84（2毛）比2n7002（8分）贵的多。请问大家有没有比bss84便宜的pmos管。我们的性能要求不高 做小信号开关用的耐压>= 10v 导通电流>1ma vgs(th) <= 2.5v. 其他参数都影响不大。谢谢！ ...
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试试2n7002 (n沟道)bss84 (p沟道) ...
