描述 | MOSFET P-CH 50V TO-236AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 50V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 180mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 7.5 欧姆 @ 100mA,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.35nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 36pF @ 25V |
功率 - 最大 | 350mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商设备封装 | TO-236AB |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | BSS84AK215 |