| 描述 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 50V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 130mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10 欧姆 @ 100mA，5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 30pF @ 5V |
| 功率 - 最大 | 225mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | BSS84LT1GOSTR |
产品型号:bss84lt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):50源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5000最大漏极电流id(on)(a):0.130通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-23/-55~150描述:小信号p沟道sot23封装场效应管价格/1片(套):￥.70 来源:xiangxueqin ...
