描述 | MOSFET OptiMOS -P Small Signal Transistor | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 175 mOhms at - 4.5 V |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-363 |
封装 | Reel | 下降时间 | 12.2 ns |
栅极电荷 Qg | - 3. 8 nC | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 560 mW | 上升时间 | 8.5 ns |
典型关闭延迟时间 | 14.1 ns | 零件号别名 | BSV236SP BSV236SPH6327XTSA1 H6327 |