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  • BSV236SPH6327XT

BSV236SPH6327XT

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:- 20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 12 V
  • 漏极连续电流:- 1.5 A

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥3.80
  • 10¥2.68
  • 100¥2.14
  • 500¥1.61
  • 1000¥1.07
产品属性
描述MOSFET OptiMOS -P Small Signal Transistor电阻汲极/源极 RDS(导通)175 mOhms at - 4.5 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-363
封装Reel下降时间12.2 ns
栅极电荷 Qg- 3. 8 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散560 mW上升时间8.5 ns
典型关闭延迟时间14.1 ns零件号别名BSV236SP BSV236SPH6327XTSA1 H6327

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