| 描述 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 1.8 mOhms at 4.5 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | PG-TSDSON-8 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 3.4 ns |
| 栅极电荷 Qg | 39 nC | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 69 W | 上升时间 | 4.4 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns | 零件号别名 | BSZ018NE2LSI BSZ018NE2LSIATMA1 |
