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  • BSZ042N04NS G

BSZ042N04NS G

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSZ042N04NSG
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$0.48465
  • 10000$0.46461
  • 25000$0.45186
  • 50000$0.43728
产品属性
描述MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.2 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 36?A闸电荷(Qg) @ Vgs46nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds3700pF @ 20V功率 - 最大69W
安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerVDFN
供应商设备封装PG-TSDSON-8(3.3x3.3)包装带卷 (TR)
其它名称BSZ042N04NSGBSZ042N04NSGINTRBSZ042N04NSGXTSP000388300

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