| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 670pF @ 15V | 功率 - 最大 | 2.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSZ065N03LS-NDBSZ065N03LSATMA1SP000799084 |
