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  • BSZ0901NSI

BSZ0901NSI

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSZ0901NSI
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$1.00386
  • 10000$0.96525
  • 25000$0.94595
  • 50000$0.92664
产品属性
描述MOSFET N-CH 30V 40A TSDSONFET 型MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.1 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds2600pF @ 15V功率 - 最大69W
安装类型表面贴装封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘
供应商设备封装PG-TSDSON-8(3.3x3.3)包装带卷 (TR)
其它名称BSZ0901NSITRSP000853566

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