| 描述 | DIFFERENTIATED MOSFETS | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.5A（Ta），25A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.5 毫欧 @ 9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 5.6nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 800pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.9W（Ta），31W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PG-WISON-8 |
