| 描述 | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10 毫欧 @ 20A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.2V @ 23?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 3500pF @ 30V | 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSZ100N06LS3GINTR SP000453672 |
