您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > bsz130n03ms g
  • BSZ130N03MS G

BSZ130N03MS G

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSZ130N03MS G
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$0.26474
  • 10000$0.25493
  • 25000$0.24513
  • 50000$0.2412
  • 125000$0.23532
产品属性
描述MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.5 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 15V功率 - 最大25W
安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerTDFN
供应商设备封装-包装带卷 (TR)
其它名称BSZ130N03MSGBSZ130N03MSGINTRBSZ130N03MSGXTSP000313122

bsz130n03ms g的相关型号: