| 描述 | MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 425 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 13?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 430pF @ 100V | 功率 - 最大 | 33.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSZ42DN25NS3 G-NDBSZ42DN25NS3GATMA1SP000781796 |
