| 描述 | PLANAR PASSIVATED HIGH COMMUTATI | 双向可控硅类型 | 可控硅 - 无缓冲器 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 断态 | 800 V | 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值） | 3 A |
| 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值） | 1 V | 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 27A，30A |
| 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值） | 10 mA | 电流 - 保持 (Ih)（最大值） | 20 mA |
| 配置 | 单路 | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
