| 描述 | PLANAR PASSIVATED HIGH COMMUTATI | 双向可控硅类型 | 可控硅 - 无缓冲器 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 断态 | 800 V | 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值） | 8 A |
| 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值） | 1 V | 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 60A，65A |
| 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值） | 35 mA | 电流 - 保持 (Ih)（最大值） | 50 mA |
| 配置 | 单路 | 工作温度 | 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
