| 描述 | MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 55V，30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.7 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 40μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 121nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6100pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 69W，96W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-263-6，D2Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-5-1 |
