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BU508DFI

描述Transistors Switching (Resistor Biased) NPN General Purpose封装 / 箱体SOT-93-3
集电极—发射极最大电压 VCEO700 V集电极连续电流8 A
峰值直流集电极电流8000 mA功率耗散50 W
最大工作温度+ 150 C封装Tube
发射极 - 基极电压 VEBO10 V最小工作温度- 65 C
工厂包装数量30

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