| 描述 | MOSFET TOPFET MULTICHAN FET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.38 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Quad | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SO-20 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 1600 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 9.4 W |
| 上升时间 | 700 ns | 工厂包装数量 | 500 |
| 典型关闭延迟时间 | 3200 ns | 零件号别名 | BUK1M200-50SGTD,11 |
【NXP Semiconductors】BUK202-50Y,127,IC TOPFET HIGH SIDE SW TO220-5
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