描述 | SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.5A(Ta),26A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,8V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 14 毫欧 @ 9A,8V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 15 nC @ 4.5 V | Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 931 pF @ 10 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta),19W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN2020MD-6 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
【NXP Semiconductors】BUK6207-30C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
【NXP Semiconductors】BUK6207-55C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
【NXP Semiconductors】BUK6208-40C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
【NXP Semiconductors】BUK6209-30C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
【NXP Semiconductors】BUK6210-55C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
【NXP Semiconductors】BUK6211-75C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428