描述 | MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 55V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 44A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 19 毫欧 @ 12A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.8V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 33.8nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1950pF @ 25V |
功率 - 最大 | 80W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 568-6986-6 |
【NXP Semiconductors】BUK6218-40C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
【NXP Semiconductors】BUK6226-75C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
【NXP Semiconductors】BUK6228-55C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
【NXP Semiconductors】BUK624R5-30C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
【NXP Semiconductors】BUK625R0-40C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK
【NXP Semiconductors】BUK625R2-30C,118,MOSFET N-CH 30V 90A DPAK