描述 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 80 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4 毫欧 @ 25A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 169 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 12030 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 349W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
【NXP Semiconductors】BUK7540-100A,127,MOSFET N-CH 100V 37A SOT78
【NXP Semiconductors】BUK754R0-40C,127,MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
【NXP Semiconductors】BUK754R0-55B,127,MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
【NXP Semiconductors】BUK754R3-40B,127,MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
【NXP Semiconductors】BUK754R3-75C,127,MOSFET N-CH TRENCH 75V TO220AB-3