描述 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.8 毫欧 @ 25A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 87.8 nC @ 5 V | Vgs(最大值) | ±10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 13160 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 293W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
【NXP Semiconductors】BUK962R2-40C,118,MOSFET BUK962R2-40C/SOT404/REEL13//
【NXP Semiconductors】BUK962R5-60E,118,MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
【NXP Semiconductors】BUK962R8-30B /T3,MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
【NXP Semiconductors】BUK962R8-30B,118,MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
【NXP Semiconductors】BUK9635-100A,118,MOSFET N-CH 100V 41A SOT404