| 描述 | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | 漏极连续电流 | 183 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.003 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220 | 封装 | Rail |
| 下降时间 | 143 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 254 W | 上升时间 | 76 ns |
| 工厂包装数量 | 50 | 典型关闭延迟时间 | 236 ns |
| 零件号别名 | BUK9E04-30B,127 |
【NXP Semiconductors】BUK9E04-30B,127,MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
【NXP Semiconductors】BUK9E04-40A,127,MOSFET N-CH TRENCH 40V I2PAK
【NXP Semiconductors】BUK9E06-55A,127,MOSFET N-CH TRENCH 55V I2PAK
【NXP Semiconductors】BUK9E06-55B,127,MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
【NXP Semiconductors】BUK9E08-55B,127,MOSFET N-CH TRENCH 55V I2PAK
