| 描述 | 9605 AUTO TRENCH PLUS | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 65V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.8A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60.7 毫欧 @ 3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 8.8nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 712pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.2W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 20-SO |
【NXP Semiconductors】BUK9Y07-30B,115,MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
【NXP Semiconductors】BUK9Y09-40B,115,MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK
【NXP Semiconductors】BUK9Y09-40B/C,115,MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
【NXP Semiconductors】BUK9Y104-100B,115,MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK
【NXP Semiconductors】BUK9Y11-30B,115,MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK
