您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > buld1101et4

BULD1101ET4

描述Transistors Bipolar (BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor最大直流电集电极电流3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min20最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体DPAK
封装Reel功率耗散35000 mW
工厂包装数量2500

buld1101et4的相关型号: