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BUP314

  • 制造商:-
  • 产品种类:IGBT 晶体管
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 集电极—射极饱和电压:2.2 V
产品属性
描述IGBT 晶体管 TRANS IGBT CHIP N-CH 1200V, 52A栅极/发射极最大电压+/- 20 V
在25 C的连续集电极电流50 A栅极—射极漏泄电流600 nA
功率耗散190 W最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体TO-247-3封装Tube
集电极最大连续电流 Ic52 A最小工作温度- 40 C
安装风格Through Hole

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