BUT11A

时间太大的晶体管可能引起电路在低于输出变压器工作极限的频率振荡，从而造成每个周期的末端磁芯饱和，这使得晶体管ic在每个周期出现尖峰，最后导致器件过热损坏。 如果同一线路上的两个三极管贮存时间相差太大，整机工作电流的上下半波将严重不对称，负担重的那只三极管将容易损坏，线路也将产生更多的谐波和电磁干扰。 实际使用表明，严格控制贮存时间ts并恰当调整整机电路，就可以降低对hfe参数的依赖程度。还值得一提的是，在芯片面积一定的情况下，三极管特性、电流特性与耐压参数是矛盾的，中国市场曾经用but11a来做220v40w电子镇流器，其出发点是bvceo、bvcbo数值高，但是目前绝大部分电子镇流器线路中，已经没有必要过高选择三极管的电压参数。 ...

bu209a 1500 5 12.5 buw13af 1000 15 175 bu308 1500 5 12.5 buw14af 1000 20 175 bu500 1500 6 75 buw48af 1000 60 150 bu508a 1500 7.5 75 but11a 1000 5 100 buy71 2200 2 40 bus12a 1000 8 125 bu2506af 1500 3.5 50 bus13a 1000 15 175 bu2506df 1500 3.5 50 bus14a 1000 30 250 bu2507af 1500 ...

中，贮存时间太大的晶体管可能引起电路在低于输出变压器工作极限的频率振荡，从而造成每个周期的末端磁芯饱和，这使得晶体管ic在每个周期出现尖峰，最后导致器件过热损坏(图3)。 如果同一线路上的两个三极管贮存时间相差太大，整机工作电流的上下半波将严重不对称，负担重的那只三极管将容易损坏，线路也将产生更多的谐波和电磁干扰。 实际使用表明，严格控制贮存时间ts并恰当调整整机电路，就可以降低对hfe参数的依赖程度。还值得一提的是，在芯片面积一定的情况下，三极管特性、电流特性与耐压参数是矛盾的，中国市场曾经用but11a来做220v40w电子镇流器，其出发点是bvceo、bvcbo数值高，但是目前绝大部分电子镇流器线路中，已经没有必要过高选择三极管的电压参数。 ...

可能引起电路在低于输出变压器工作极限的频率振荡，从而造成每个周期的末端磁芯饱和，这使得晶体管ic在每个周期出现尖峰，最后导致器件过热损坏(图3)。 如果同一线路上的两个三极管贮存时间相差太大，整机工作电流的上下半波将严重不对称，负担重的那只三极管将容易损坏，线路也将产生更多的谐波和电磁干扰。 实际使用表明，严格控制贮存时间ts并恰当调整整机电路，就可以降低对hfe参数的依赖程度。还值得一提的是，在芯片面积一定的情况下，三极管特性、电流特性与耐压参数是矛盾的，中国市场曾经用but11a来做220v40w电子镇流器，其出发点是bvceo、bvcbo数值高，但是目前绝大部分电子镇流器线路中，已经没有必要过高选择三极管的电压参数。 ...

v)，则7引脚输出为高电平(3.7 v)，触发导通scr1，使主电路停振，起到过压保护作用。 (4) 其他检测 端口28、30分别引出连接至其他电路。t3次边线圈的交流脉冲经d31整流与r61、r60分压后，与rv4的设定值进行比较。ic2的1引脚输出为高电平，导通tr7，使端口30输出为低电平。取样电压通过端口28输出。 6 维修实例 故障现象：接通110 v电源时，fs1的5 a保险即被烧断。可以判断为主电路短路。使用万用表检查，发现trl、tr2均被击穿。更换1 a的保险管及代用的but11a三极管进行空载试验，t3发出"咝咝"声。用万用表测量，发现输出直流电压约为额定值的一半，据此判断tr1、tr2中存在单管导通的情况。断开t1的⑧引脚(即t1的⑦、⑧线圈开路，处于自启动状态)，"咝咝"声消失，在输入110vac的情况下，测量+5 v和+12 v输出已分别达到+7.9 v和+18.7 v，且不可调，±12 v因稳压管而输出正常，t3的输出频率为55 khz。仔细检查控制电路，发现tr3(型号bc337)已短路，更换后并接通t1的⑧引脚，电路输出恢复正常，t3的输出频率由自启动的55 ...

的晶体管可能引起电路在低于输出变压器工作极限的频率振荡，从而造成每个周期的末端磁芯饱和，这使得晶体管ic在每个周期出现尖峰，最后导致器件过热损坏(图3)。 如果同一线路上的两个三极管贮存时间相差太大，整机工作电流的上下半波将严重不对称，负担重的那只三极管将容易损坏，线路也将产生更多的谐波和电磁干扰。 实际使用表明，严格控制贮存时间ts并恰当调整整机电路，就可以降低对hfe参数的依赖程度。还值得一提的是，在芯片面积一定的情况下，三极管特性、电流特性与耐压参数是矛盾的，中国市场曾经用but11a来做220v40w电子镇流器，其出发点是bvceo、bvcbo数值高，但是目前绝大部分电子镇流器线路中，已经没有必要过高选择三极管的电压参数。 来源:ks99 ...

4均选用耐压值为250v的铝电解电容器;c17和c18均选用耐压值为400v的铝电解电容器。 vd1和vd1o、vd11均选用1n5404型硅整流二极管;vd2~vd7均选用fr307型快恢复二极管;vd8、vd9均选用1n5408型硅整流二极管;vd21和vd22均选用1n4007硅整流二极管;vd12~vd2o、vd23~vd25均选用1n4148型硅开关二极管。 v1、v3、v5和v7选用bux87或3dk4o8e型高反压大功率硅npn晶体管;v2、v4、v6和v8选用3dk308c或but11a型高反压npn晶体管。 vf1和vf2均选用70n06型场效应晶体管。 ic1选用sg3525a型脉宽调制专用集成电路;ic2选用ne555型时基集成电路;ic3选用cd4017型十进制计数/脉冲分配器集成电路;ic4选用lm324型四运放集成电路。 l1和l2可用φ0.7lmm的漆包线在el9型骨架上绕满后制成。 vlc1~vlc4选用4n25或dp61k型光藕合器。 ha选用φ27mm的带助声腔压电式蜂鸣器。 s选用按键直锁式或拨动式电源开关。 m ...

中，贮存时间太大的晶体管可能引起电路在低于输出变压器工作极限的频率振荡，从而造成每个周期的末端磁芯饱和，这使得晶体管ic在每个周期出现尖峰，最后导致器件过热损坏(图3)。 如果同一线路上的两个三极管贮存时间相差太大，整机工作电流的上下半波将严重不对称，负担重的那只三极管将容易损坏，线路也将产生更多的谐波和电磁干扰。 实际使用表明，严格控制贮存时间ts并恰当调整整机电路，就可以降低对hfe参数的依赖程度。还值得一提的是，在芯片面积一定的情况下，三极管特性、电流特性与耐压参数是矛盾的，中国市场曾经用but11a来做220v40w电子镇流器，其出发点是bvceo、bvcbo数值高，但是目前绝大部分电子镇流器线路中，已经没有必要过高选择三极管的电压参数。 图3：两个不同贮存时间的三极管用于同一线路的ic波形图。 ...

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急：利用单片机怎样控制可控硅的通断（dc300v）我利用的是bt151-500r.html">bt151-500r控制直流的通断，通过but11a控制bt151的通断，但在关断状态下，会有一个35v左右的电压。 * - 本贴最后修改时间：2005-9-19 12:13:41 修改者：kfawj ...

现在的问题现在的问题是当电压表的读数达到3.46v时,电流的读数慢慢就达到了200ma,不是线性了!以前用的是but11a跟c2688一起用的!现在想换个场效应管来改善一下,各位朋友请推荐一个啊,谢谢~~~~~~~~~~~~~~~~~~ ...