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  • BUV61

BUV61

描述Transistors Bipolar (BJT) Hi Pwr NPN Silicon Transistor最大直流电集电极电流50 A
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-3
最小工作温度- 65 C功率耗散250000 mW
工厂包装数量100

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