| 描述 | TRANSISTOR POWER NPN SOT-32 | 晶体管类型 | NPN |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 500mA | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 450V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1V @ 20mA，200mA | 电流 - 集电极截止（最大） | 100?A |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 12 @ 40mA，5V | 功率 - 最大 | 40W |
| 频率 - 转换 | 20MHz | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 | 供应商设备封装 | SOT-32-3 |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | 497-12757-5BUX87-ND |
1.0/0.8us but11ai npn s-l 1000 5 100 / but56a npn nf/s-l 1000 10 100 / bux84 npn s-l 8000 2 40 / bux85 npn s-l 1000 2 40 / bux87 npn s-l 1000 0.5 20 / c1162 npn nf/s-l 35 2.5 10 / c1945 npn hf-l 80 6 20 pq=16w/27m c1969 npn am-l 60 6 20 pq=16w/27m c1970 ...
c23选用涤纶电容器或独石电容器;c12和c15均选用耐压值为160v的铝电解电容器;c13和c14均选用耐压值为250v的铝电解电容器;c17和c18均选用耐压值为400v的铝电解电容器。 vd1和vd1o、vd11均选用1n5404型硅整流二极管;vd2~vd7均选用fr307型快恢复二极管;vd8、vd9均选用1n5408型硅整流二极管;vd21和vd22均选用1n4007硅整流二极管;vd12~vd2o、vd23~vd25均选用1n4148型硅开关二极管。 v1、v3、v5和v7选用bux87或3dk4o8e型高反压大功率硅npn晶体管;v2、v4、v6和v8选用3dk308c或but11a型高反压npn晶体管。 vf1和vf2均选用70n06型场效应晶体管。 ic1选用sg3525a型脉宽调制专用集成电路;ic2选用ne555型时基集成电路;ic3选用cd4017型十进制计数/脉冲分配器集成电路;ic4选用lm324型四运放集成电路。 l1和l2可用φ0.7lmm的漆包线在el9型骨架上绕满后制成。 vlc1~vlc4选用4n25或dp61k型光藕合器。 ha选用φ27m ...
