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  • BUZ31 H

BUZ31 H

  • 制造商:-
  • 数据列表:BUZ 31 H
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:SIPMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 500$1.07012
产品属性
描述MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14.5A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 9A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs-
输入电容 (Ciss) @ Vds1120pF @ 25V功率 - 最大95W
安装类型通孔封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装PG-TO220-3包装管件
其它名称BUZ31HXKSA1SP000682992

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