您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > bvss123lt1g
  • BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 12000$0.04811
描述MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C170mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 欧姆 @ 100mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)*
闸电荷(Qg) @ Vgs-输入电容 (Ciss) @ Vds20pF @ 25V
功率 - 最大225mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3
包装带卷 (TR)

bvss123lt1g的相关型号: