| 描述 | DIODE ZENER 33V 500MW DO-35 | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 900mV @ 10mA |
|---|---|---|---|
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 50nA @ 23.1V | 容差 | ±3% |
| 功率 - 最大 | 400mW | 阻抗（最大）(Zzt) | 80 欧姆 |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装 | ALF2 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
【NXP Semiconductors】BZX79-C33,133,DIODE ZENER 33V 500MW DO-35
【NXP Semiconductors】BZX79-C33,143,DIODE VREG 33V 500MW DO-35
【Fairchild Semiconductor】BZX79C33_T50A,DIODE ZENER 33V 500MW DO-35
【Fairchild Semiconductor】BZX79C33_T50R,DIODE ZENER 33V 500MW DO-35
【Fairchild Semiconductor】BZX79C36,DIODE ZENER 36V 500MW DO-35
