您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 单二极管/齐纳 > bzx84c12et1g
  • BZX84C12ET1G

BZX84C12ET1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述DIODE ZENER 12V 225MW SOT-23电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 8V容差±5%
功率 - 最大225mW阻抗(最大)(Zzt)25 欧姆
安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)包装带卷 (TR)
工作温度-55°C ~ 150°C其它名称BZX84C12ET1GOS

“BZX84C12ET1G”技术资料

  • BZX84C12ET1G的技术参数

    产品型号:bzx84c12et1g齐纳击穿电压vz最小值(v):11.400齐纳击穿电压vz典型值(v):12齐纳击穿电压vz最大值(v):12.700@izt(ma):5齐纳阻抗zzt(ω):25最大功率pmax(w):0.225芯片标识:bc1封装/温度(℃):sot-23/-65~150价格/1片(套):¥.30 来源:零八我的爱 ...

bzx84c12et1g的相关型号: