BZX84C2V7LT1

和成本等指标中进行权衡与折衷。 两种常见的基准源是齐纳和带隙基准源。齐纳基准源通常采用两端并联拓扑，带隙基准源通常采用三端串连拓扑。齐纳二极管和并联拓扑 齐纳二极管优化工作在反偏击穿区域，因为击穿电压相对比较稳定，可以通过一定的反向电流驱动产生稳定的基准源。 图1。 齐纳基准源的最大好处是可以得到很宽的电压范围，2v到200v。它们还具有很宽范围的功率，从几个毫瓦到几瓦。齐纳二极管的主要缺点是精确度达不到高精度应用的要求，而且，很难胜任低功耗应用的要求。例如：bzx84c2v7lt1，它的击穿电压，即标称基准电压是2.5v，在2.3v至2.7v之间变化，即精确度为±8%，这只适合低精度应用。 齐纳基准源的另一个问题是它的输出阻抗。上例中器件的内部阻抗为5ma时100ω和1ma时600ω。非零阻抗将导致基准电压随负载电流的变化而发生变化。选择低输出阻抗的齐纳基准源将减小这一效应。 埋入型齐纳二极管是一种比常规齐纳二极管更稳定的特殊齐纳二极管，这是因为采用了植入硅表面以下的结构。作为另一种选择，可以用有源电路仿真齐纳二极管。这种电路可以显著改善传统齐纳器件的缺点 ...

因此了解基准源的工作原理、参数和选择方法，对於系统设计是一个颇为重要的因素。本文比较了齐纳二极管、隐埋齐纳二极管和带隙电压基准三种电压基准源的优点和缺点，列出了使用时潜在的问题，介绍了它们的应用范围。讨论了在设计系统时，选择电压基准源需要考虑的问题。基准源的类型 基准源主要有齐纳二极管、隐埋齐纳二极管和带隙电压基准三种，它们都可以设计成两端并联式电路或者三端串联式电路。齐纳二极管是工作在反向偏置的二极管，需要一个串联的限流电阻。在要求高精度和低功耗的情况下，齐纳二极管通常是不适合的。例如，bzx84c2v7lt1齐纳二极管的标称输出电压vout是2.5v，有±8%的公差，各个器件之间的输出电压会在2.3v到2.7v的范围内变化。 理想的电压基准源应该是内阻为零，不论电流是流进去还是流出来，都应当保持输出电压恒定。内阻为零的基准源是不存在的，然而内阻只有毫欧数量级的基准源 是可以做得到的。齐纳二极管的内阻较大，电流为5ma时内阻为100ω，1ma时600ω。齐纳二极管在电压箝位电路中很有用，它们的箝位电压范围宽，从2v至200v，功率可以从几毫瓦到几瓦。表1比较了这三种电压基准源的优点、缺点，列出了 ...