描述 | ZENER DIODE DFN1006-2A | 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 27 V |
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容差 | ±2% | 功率 - 最大值 | 300 mW |
阻抗(最大值)(Zzt) | 80 Ohms | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 nA @ 18.9 V |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900 mV @ 10 mA | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 0402(1006 公制) |
供应商器件封装 | DFN1006-2A |
【NXP Semiconductors】BZX884-B2V4 T/R,稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7
【NXP Semiconductors】BZX884-B2V4,315,DIODE ZENER 2.4V 250MW SOD882
【NXP Semiconductors】BZX884-B2V7 T/R,稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7
【NXP Semiconductors】BZX884-B2V7,315,DIODE ZENER 250MW 2.7V SOD882
【NXP Semiconductors】BZX884-B30 T/R,稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7
【NXP Semiconductors】BZX884-B30,315,DIODE ZENER 250MW 30V SOD882