| 描述 | ZENER DIODE DFN1006-2A | 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 43 V |
|---|---|---|---|
| 容差 | ±2% | 功率 - 最大值 | 300 mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 150 Ohms | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 nA @ 30.1 V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900 mV @ 10 mA | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 0402（1006 公制） |
| 供应商器件封装 | DFN1006-2A |
【NXP Semiconductors】BZX884-B47 T/R,稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7
【NXP Semiconductors】BZX884-B47,315,DIODE ZENER 250MW 47V SOD882
【NXP Semiconductors】BZX884-B4V3 T/R,稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7
【NXP Semiconductors】BZX884-B4V3,315,DIODE ZENER 250MW 4.3V SOD882
【NXP Semiconductors】BZX884-B4V7 T/R,稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7